IGBT光耦隔离驱动问题 IGBT驱动电路分析

它是一个光耦合器,它是一个光耦合器,2.0A输出电流igbt栅极驱动光耦合器。本文根据长期使用IGBT的经验,并参考相关文献,对IGBT驾驶的介绍进行了总结,希望对广大IGBT应用人员有所帮助,1IGBT栅极驱动要求1.1栅极驱动电压由于IGBT的栅发射极阻抗较大,可以用MOSFET驱动技术驱动,但IGBT的输入电容比MOSFET大,所以IGBT的驱动偏置要高于MOSFET驱动所需的偏置。

igbt驱动光耦

1、变频器a3120光耦5脚虚焊的后果是炸了模块吧?

A3120光耦是一种用于驱动场效应晶体管或IGBT的专用光耦。管脚5是负电压输入端,通常电压为5V。其作用是:当电流流过光耦的引脚2和引脚3时,引脚6和引脚7输出高电平,驱动IGBT模块开启。当引脚2和引脚3的LED关断时,引脚6和引脚7的电压通过引脚5的负电源为负,为后级提供快速IGBT。如果焊接A3120光耦合器的引脚5,引脚5上的负电压将消失。当IGBT需要快速关断时,6号引脚和7号引脚不会给模块提供负电压,模块会被炸飞。

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(因为有些光耦用万用表测试是正常的,但是工作一段时间后,一个光耦不稳定,IGBT模块就会再次烧毁。) 2.用小功率IGBT(比如电磁炉上用IGBT,需要一点电路知识的人都可以)代替模块进行通电调试。就算有问题,那也是小功率烧,也花不了几个钱。当小功率IGBT上电时,此时将断电放电。

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2、变频器上为什么会用到很多光耦?

变频器上光耦的因素有很多:1。为了安全;2、简化电路;3、成本低;4.组件的数量减少了。为了使用安全,变频器是市电换成DC后,由变频电源驱动器驱动的变频电机。由于控制是低压,驱动IGBT的变频控制信号由光耦传输。电机的运行状态也由光耦控制。各种外界自然因素的反馈也由光耦合器控制。因此,变频器中使用了很多光耦合器。

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3、IGBT驱动隔离电压什么意思

1。IGBT驱动的电源需要隔离,并且有一个隔离电压。2.控制系统与主电源系统之间的信号传输需要隔离,即控制系统向IGBT发送PWM信号,需要隔离。一般可采用光电隔离或变压器隔离。因为IGBT驱动的后级是高压,所以IGBT驱动的前级和后级需要电气隔离。可以使用光耦、光纤、变压器等。说白了就是后级的高压逃不到主控板。

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换句话说,Ue高,Ug高,Uge不会变。IGBT,又称栅双极晶体管,是一种集成了双极晶体管和MOS晶体管优点的功率转换器件。因为IGBT通常工作在大电流和高电压下,所以通常使用PWM(脉冲宽度调制)来驱动IGBT。对于IGBT来说,PWM驱动信号的产生需要一个独立的系统,这个PWM产生系统属于弱信号电路。为了安全,减少回路高压部分对弱信号回路的干扰,需要对两个回路进行电气隔离。这里的隔离电压是指经过光耦或脉冲变压器等隔离器件后输出的PWM驱动信号。

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4、IGBT驱动电路分析

这是变频器的驱动电路,Q6和Q7是IGBT。两相输出的话,至少需要四个单管IGBT,因为IGBT一般都是PWM触发控制的,你接的电路只是它的单相输出。如果光耦的输出脉冲电压不够,可能会导致空载烧IGBT。如果314J的VO输出电压不够,可能是其工作电压的问题造成的,具体看实际情况。vo输出是a314j,a314j有两个开关,上和下,一般是0.52A如果输出电压不足,首先要看电源和这组电压的滤波电容(还要看什么不足),大部分和后面的电路无关。

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5、请教,A316J芯片的作用。它是光耦,还是IGBT驱动芯片啊?

是一个光耦合器。输出电流为2.0A的IGBT门驱动光耦合器。可以在tidal光耦网上搜索HCPL316J。有详细的资料。该特性可将IGBTVCM1提升至1200v/150 a。15kV/ s高共模抑制(CMR)能力,500V光耦合误差状态反馈SO16封装电源CMOS/TTL电平兼容500ns最大开关速度IGBT软启动集成防故障误差保护去饱和VCE检测,带迟滞欠压锁定保护(UVLO)用户可以配置反向、同向、自动复位、自动关断、10V至30V宽工作Vcc范围、40°C至100°C宽温度范围,以提供DIP和SO8。

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不同类型逆变器的6、变频器驱动板加什么信号在光耦输入端可以测试驱动信号好与否

和PWM(SPWM)脉冲波形的差异也会导致测得的动态电压值有很大差异。1)静态检测(参见图42)。当电路静止时,PC2的管脚2和管脚3的电压为SV,管脚2和管脚3的电压差为0V。以驱动电源的0V作为零电位参考点,CN1触发引线端子的第一行应为10V。PC923和PC929的脉冲输出引脚和后置放大器的中点电压都是10V。

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第一线检测CNI端子约18V,故障原因:①PC2的后置放大电路中的Q10短路;②②PC2内部输出电路VI短路;(3)检查如果PC2的2、3脚有电压输入,如1.2V,则故障是由于前级信号电路故障,使PC2形成了输入电流的通路。2)动态检测。电路静态时,测得CN1的端子1线上有正常的10V截止电压,测得的静态工作点基本正常(实际上所有检测点都显示电源电压)。需要进一步检查电路动态时脉冲信号的传输能力,验证电路没有故障或暴露隐藏的故障。

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7、igbt驱动的简介

根据长期使用IGBT的经验,并参考相关文献,总结了IGBT的门极驱动,希望对IGBT应用人员有所帮助。1IGBT栅极驱动要求1.1栅极驱动电压由于IGBT的栅发射极阻抗较大,可以用MOSFET驱动技术驱动,但IGBT的输入电容比MOSFET大,所以IGBT的驱动偏置要高于MOSFET驱动所需的偏置。

在20℃条件下,测得的60A以下、1200V的IGBT开启电压阈值为5~6V。在实际使用中,为了获得最小的导通压降,应选择Ugc ≥ (1.5 ~ 3) Uge (th),当Uge增大时,集电极电压Uce会降低,导通损耗会减小,但在负载短路期间,Uge会增大,集电极电流Ic也会随之增大。IGBT能承受短路破坏的脉冲宽度变窄,所以Ugc的选取不宜过大,足以使IGBT完全饱和,同时也限制了短路电流及其带来的应力(在有短路工作过程的设备中,如IGBT用于电机时,Uge应尽量在满足要求的条件下选取最小值,以提高其抗短路能力)。